特許
J-GLOBAL ID：201103030815918886

薄膜トランジスタおよびその製造方法、ならびに電子機器

発明者：
川島 紀之

川島 紀之 について

, 
村瀬 英寿

村瀬 英寿 について

, 
勝原 真央

勝原 真央 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (4件)： 藤島 洋一郎 ,  三反崎 泰司 ,  長谷部 政男 ,  田名網 孝昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-120176
公開番号（公開出願番号）：特開2011-249498
出願日： 2010年05月26日
公開日（公表日）： 2011年12月08日
要約：
【課題】高性能化および製造容易化を実現可能な薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】支持基体1の上にゲート電極2を形成したのち、そのゲート電極2の上にゲート絶縁層3を形成する。続いて、ゲート絶縁層3の上に有機半導体層を形成したのち、レーザアブレーション法により有機半導体層をパターニングして有機半導体パターン4を形成する。最後に、有機半導体パターン4の上にソース電極5およびドレイン電極6を形成する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
支持基体の上に、ゲート電極を形成する工程と、 前記ゲート電極の上に、ゲート絶縁層を形成する工程と、 前記ゲート絶縁層の上に、有機半導体層を形成する工程と、 レーザアブレーション法により前記有機半導体層を選択的に除去して有機半導体パターンを形成する工程と、 前記有機半導体パターンの上に、ソース電極およびドレイン電極を形成する工程と を含む、薄膜トランジスタの製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/786 ,  H01L 51/05 ,  H01L 51/40
FI (6件)：
H01L29/78 627C ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618C ,  H01L29/78 616K ,  H01L29/28 100A ,  H01L29/28 310K
Fターム (48件)：
2H092JA26 ,  2H092JA35 ,  2H092JB58 ,  2H092KA09 ,  2H092KA12 ,  2H092KA13 ,  2H092KA19 ,  2H092KB05 ,  2H092MA04 ,  2H092MA13 ,  2H092NA25 ,  2H092PA01 ,  5F110AA05 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD11 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE23 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG05 ,  5F110GG22 ,  5F110GG25 ,  5F110GG42 ,  5F110GG43 ,  5F110HK02 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110QQ03 ,  5F110QQ06
引用特許：
審査官引用 (3件)

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