半導体装置の作製方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-320383
公開番号（公開出願番号）：特開2008-177553
出願日： 2007年12月12日
公開日（公表日）： 2008年07月31日
要約：

【課題】フォトレジストを用いることなく薄膜を加工することができる加工方法及び半導体装置の作製方法を提供する。特に、容易に薄膜を加工できる方法及び加工後の薄膜の不良を防止する方法及び半導体装置の作製方法を提供することを課題とする。【解決手段】基板上に光吸収層を形成し、光吸収層にレーザビームを選択的に照射して、レーザビームが照射された領域の光吸収層を除去する。残存する光吸収層に一導電型を付与する不純物元素又は不活性元素を添加して、光吸収層の引っ張り応力をレーザビームの照射前よりも小さくする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に光吸収層を形成し、前記光吸収層にレーザビームを選択的に照射して、前記レーザビームが照射された領域の前記光吸収層を除去し、残存する前記光吸収層に一導電型を付与する不純物元素又は不活性元素を添加して、前記光吸収層の引っ張り応力を前記レーザビームの照射前よりも小さくすることを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (3件)：

H01L 21/302 , H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (3件)：

H01L21/302 201B , H01L29/78 627C , H01L29/78 612D

Fターム (96件)：

5F004AA01 , 5F004AA16 , 5F004BA20 , 5F004BB03 , 5F004BB04 , 5F004BB24 , 5F004BB31 , 5F004CA09 , 5F004DB08 , 5F004DB09 , 5F004DB10 , 5F004EB02 , 5F110AA16 , 5F110AA26 , 5F110BB01 , 5F110CC02 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE23 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110EE48 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG02 , 5F110GG05 , 5F110GG13 , 5F110GG14 , 5F110GG15 , 5F110GG22 , 5F110GG32 , 5F110GG33 , 5F110GG34 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK09 , 5F110HK21 , 5F110HK32 , 5F110HK33 , 5F110HK35 , 5F110HK37 , 5F110HK42 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL07 , 5F110HL11 , 5F110HL22 , 5F110HL23 , 5F110HL24 , 5F110HM02 , 5F110HM15 , 5F110NN03 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN33 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN36 , 5F110NN72 , 5F110PP01 , 5F110PP03 , 5F110PP29 , 5F110PP34 , 5F110PP35 , 5F110QQ01

引用特許：

出願人引用 (2件)

特開昭63-84789号公報
パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-305726 出願人：鹿児島日本電気株式会社

審査官引用 (8件)

薄膜蝕刻方法及びこれを用いた液晶表示装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-186193 出願人：エルジー.フィリップスエルシーデーカンパニー,リミテッド
半導体膜の除去加工方法及び光起電力素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-139226 出願人：三洋電機株式会社
特開平1-296623

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