半導体装置の製造方法および半導体製造装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：梶原辰也
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-172383
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007030
特許番号：特許第4127586号
出願日： 1999年06月18日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
請求項（抜粋）：

【請求項1】原料ガスによる被処理物に対する処理が処理室の内部において繰り返し実施される処理工程と、前記処理室の内部に前記処理によって堆積した堆積膜がエッチングガスによって除去されるドライクリーニング工程とを備えている半導体装置の製造方法において、前記処理工程では、前記処理室から排気される排気ガス中の物質を捕集するトラップが設けられた排気路によって前記原料ガスが排気され、前記ドライクリーニング工程では、前記トラップを迂回するように前記排気路に接続された迂回路によって前記エッチングガスが排気されることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：