特許
J-GLOBAL ID：201103030894349328
単結晶サファイア基板の熱処理方法
発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-095657
公開番号（公開出願番号）：特開2002-293692
特許番号：特許第4522013号
出願日： 2001年03月29日
公開日（公表日）： 2002年10月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 単結晶サファイアのC面からA面方向に角度θで傾斜させた面を主面とする単結晶サファイア基板において、上記角度θの範囲が0.05°≦θ≦0.7°であり、下記式の加熱温度T(°C)及び加熱時間t(h)で熱処理することを特徴とする単結晶サファイア基板の熱処理方法。
T(°C)=500θ2-970θ+1100±100
t(h)=7θ2-11θ+6±1
IPC (2件)：
C30B 29/16 ( 200 6.01)
, C30B 33/02 ( 200 6.01)
