特許

J-GLOBAL ID：200903042422845682

サファイヤ基板

発明者： 矢口 洋一 ,  砂川 和彦 ,  古滝 敏郎 ,  黒岩 輝夫 ,  佐藤 次男
出願人/特許権者： 並木精密宝石株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-338716
公開番号（公開出願番号）：特開2001-158691
出願日： 1999年11月29日
公開日（公表日）： 2001年06月12日
要約：

【要約】【課題】 GaN等のIII族窒化物半導体やGaAlN等の窒化ガリウム系化合物半導体を始めとする各種半導体を、良好にエピタキシャル成長させ歩留りの向上を図ることのできるサファイヤ基板を提供すること。【解決手段】 半導体をエピタキシャル成長させる際に用いるサファイヤ基板であって、エピタキシャル成長させる結晶成長面が基板のc軸から所定の角度で所定の方向に傾けて形成されたサファイヤ基板。

請求項（抜粋）：

半導体をエピタキシャル成長させる際に用いるサファイヤ基板であって、前記基板の前記エピタキシャル成長させる結晶成長面が、前記基板のc軸から所定の角度で所定の方向に傾けて形成されたことを特徴とするサファイヤ基板。

IPC (2件)：

C30B 29/20 ,  H01L 33/00

FI (2件)：

C30B 29/20 ,  H01L 33/00 C

Fターム (11件)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  5F041AA40 ,  5F041CA23 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F041CA77

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-285406   出願人：日亜化学工業株式会社
• 半導体発光素子、それを使用した表示装置および光学式情報再生装置、並びに半導体発光素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-171342   出願人：シャープ株式会社
• 窒化物系化合物半導体の結晶成長方法、発光素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-179298   出願人：シャープ株式会社
• 窒化物半導体基板及びそれを用いた窒化物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-278308   出願人：日亜化学工業株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Atomic-scale formation of ultrasmooth surfaces on sapphire substrates for high-quality thin-film fab