特許
J-GLOBAL ID：201103031748926220
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-019015
公開番号（公開出願番号）：特開2000-223490
特許番号：特許第3279276号
出願日： 1999年01月27日
公開日（公表日）： 2000年08月11日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板上に有機系の絶縁膜を形成する工程と、前記有機系の絶縁膜上に2種以上の積層した無機絶縁膜で構成されるマスク層を形成し前記マスク層に開口を形成する工程と、前記マスク層をエッチングマスクにしたドライエッチングで前記有機系の絶縁膜に配線溝を形成する工程と、前記配線溝の形成後、前記配線溝を充填するように導電体膜を堆積させる工程と、前記マスク層を前記有機系の絶縁膜の研磨保護膜として前記導電体膜の不要部分を化学機械研磨で除去し、前記配線溝内に埋め込むように溝配線を形成する工程と、前記溝配線の形成後、前記マスク層を除去し全面にシリコン酸化膜より比誘電率の小さい低誘電率絶縁膜を成膜することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (6件)：
H01L 21/3205
, H01L 21/28
, H01L 21/304 621
, H01L 21/3065
, H01L 21/3213
, H01L 21/762
H01L 21/28 E
, H01L 21/304 621 D
, H01L 21/88 K
, H01L 21/302 J
, H01L 21/76 D
, H01L 21/88 D
