特許
J-GLOBAL ID：201103031827882255

半導体装置の製造方法

発明者：
酒井 久弥

酒井 久弥 について

, 
清水 紀嘉

清水 紀嘉 について

, 
大塚 信幸

大塚 信幸 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 高橋 敬四郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-096474
公開番号（公開出願番号）：特開2001-284358
特許番号：特許第4005295号
出願日： 2000年03月31日
公開日（公表日）： 2001年10月12日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 開口を有する絶縁膜が、表面上に形成された半導体基板を準備する工程と、 前記絶縁膜の表面及び前記開口の内面を覆うように、TaもしくはTaNからなるバリア層を形成する工程であって、該バリア層を、基板温度200°C未満の条件でスパッタリングにより堆積した後に200°C以上の温度で熱処理して形成するか、または基板温度200°C以上の条件でTa膜をスパッタリングにより堆積した後に該Ta膜を窒素プラズマに晒して窒化して形成する工程と、 前記バリア層の上に、銅からなるシード層を形成する工程と、 前記シード層の上に、銅からなる導電膜を、めっきにより形成する工程と を有する半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/3205 ( 200 6.01) ,  H01L 23/52 ( 200 6.01) ,  H01L 21/285 ( 200 6.01) ,  H01L 21/28 ( 200 6.01) ,  H01L 21/288 ( 200 6.01)
FI (5件)：
H01L 21/88 R ,  H01L 21/88 M ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/288 E
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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