特許
J-GLOBAL ID：201103032666163144
導体パタ-ンの形成方法及び電子部品
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井内 龍二
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-258276
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085573
特許番号：特許第3791660号
出願日： 1999年09月13日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】セラミック基板の表面全面にガラスセラミック層を形成する工程と、
前記ガラスセラミック層に粗化領域を形成する工程と、
前記ガラスセラミック基板表面全面に無電解銅めっき処理を施す工程と、
形成された無電解銅めっき層の上からフォトレジストを塗布する工程と、
フォトレジストのネガパターンを形成すべく露光・現像処理を施す工程と、
形成されたフォトレジストのネガパターンをめっきマスクとして電解銅めっき処理を施し、前記フォトレジストで覆われていない前記無電解銅めっき層上に電解銅めっき層を形成する工程と、
前記フォトレジストを除去する工程と、
前記電解銅めっき層で覆われていない部分に形成されている前記無電解銅めっき層を除去するためのソフトエッチング処理を施す工程とを含んでいる導体パターンを形成する導体パターン形成方法であって、
前記ソフトエッチング処理工程において、前記無電解銅めっき層を前記ガラスセラミック層の粗化処理部分から根刮ぎ除去することを特徴とする導体パターンの形成方法。
IPC (2件)：
H01L 23/15 ( 200 6.01)
, H01L 23/12 ( 200 6.01)
H01L 23/14 C
, H01L 23/12 D
