絶縁層付金属基板およびその製造方法、半導体装置およびその製造方法、太陽電池およびその製造方法、電子回路およびその製造方法、ならびに発光素子およびその製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：渡辺望稔 , 三和晴子 , 伊東秀明 , 三橋史生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-217073
公開番号（公開出願番号）：特開2011-181887
出願日： 2010年09月28日
公開日（公表日）： 2011年09月15日
要約：

【課題】高い絶縁性を有し、かつ耐熱性、耐曲げ性、長期信頼性に優れたフレキシブルな絶縁層付金属基板およびその製造方法、この基板を用いた半導体装置およびその製造方法、この基板を用いた太陽電池およびその製造方法、この基板を用いた電子回路及びその製造方法、ならびにこの基板を用いた発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】本発明の絶縁層付金属基板は、少なくともアルミニウム基材を備える金属基板と、この金属基板のアルミニウム基材に形成された絶縁層とを有する。絶縁層はアルミニウムのポーラス型陽極酸化皮膜である。このポーラス型陽極酸化皮膜は、バリア層部分とポーラス層部分からなり、少なくともポーラス層部分が室温で圧縮方向の歪みを有する。この圧縮方向の歪みの大きさは0.005〜0.25%である。また、陽極酸化皮膜は厚さが3μm以上である。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

絶縁層付金属基板であって、少なくともアルミニウム基材を備える金属基板と、前記金属基板の前記アルミニウム基材に形成されたアルミニウムのポーラス型陽極酸化皮膜とを有し、前記陽極酸化皮膜は、バリア層部分とポーラス層部分からなり、少なくともポーラス層部分が室温で圧縮方向の歪みを有することを特徴とする絶縁層付金属基板。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (1件)：

H01L31/04 M

Fターム (7件)：

5F151AA05 , 5F151BA18 , 5F151CB30 , 5F151FA02 , 5F151FA06 , 5F151GA02 , 5F151GA11

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開昭61-019796
特開昭62-089369
太陽電池用基板および太陽電池
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-249101 出願人：富士フイルム株式会社

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引用文献：

審査官引用 (2件)

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