配線膜の形成方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：安田敏雄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-063921
公開番号（公開出願番号）：特開2000-200789
特許番号：特許第3631392号
出願日： 1999年03月10日
公開日（公表日）： 2000年07月18日
請求項（抜粋）：

【請求項1】孔・溝が形成された絶縁膜を有する基板の当該絶縁膜の表面を、銅または銅合金の金属材料で被覆することにより、前記孔・溝の内部を該金属材料で充填して、配線膜を形成する方法であって、メッキ法もしくはCVD法により結晶粒子からなる銅または銅合金の金属材料を前記孔・溝内部および絶縁膜上のバリア層もしくは該バリア層の上に形成されたシード層の表面に析出させ、その後、全体を高圧ガス雰囲気下で加熱して前記金属材料における結晶粒子の結晶粒成長を空孔発生を抑制しつつ進行させることにより、前記基板全面および孔・溝内部を実質的に気孔を含まない金属材料膜で被膜することを特徴とする配線膜の形成方法。

IPC (6件)：

H01L 21/3205 , C23C 14/14 , C23C 14/58 , C25D 7/12 , H01L 21/28 , H01L 21/768

FI (7件)：

H01L 21/88 B , C23C 14/14 D , C23C 14/58 A , C25D 7/12 , H01L 21/28 301 Z , H01L 21/88 M , H01L 21/90 A

引用特許：

出願人引用 (5件)

配線形成層の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-209833 出願人：ソニー株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-221872 出願人：株式会社東芝
特開平2-205678

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審査官引用 (5件)

配線形成層の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-209833 出願人：ソニー株式会社
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-221872 出願人：株式会社東芝
特開平2-205678

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