特許
J-GLOBAL ID：201103033825386733

AlGaInP発光ダイオード

発明者：
宇田川 隆

宇田川 隆 について


出願人/特許権者：
昭和電工株式会社

昭和電工株式会社 について


代理人 (2件)： 内田 幸男 ,  柿沼 伸司
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-206039
公開番号（公開出願番号）：特開2001-036131
特許番号：特許第4376361号
出願日： 1999年07月21日
公開日（公表日）： 2001年02月09日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 裏面にn形オーミック電極を備えたn形GaAs基板上に設けられたp形(AlXGa1-X)YInYP、0≦X≦1、0<Y≦1)層を備えた発光部、金属酸化物からなる窓層、及び窓層上に設けられたp形電極を有するpサイドアップ型のAlGaInP発光ダイオードにおいて、p型電極の下部領域に光を透過する金属酸化物からなる窓層が設けられ、前記下部領域以外の領域にはNiO層がp形(AlXGa1-X)YInYP、0≦X≦1、0<Y≦1)層の表面に直接オーミック接触して設けられ、該NiO層上に光を透過する金属酸化物からなる窓層が設けられ、この窓層上には窓層の表面保護膜が設けられてなり、前記電極の下部領域が電極の平面形状と相似形であり、かつ中心が略一致し、面積が電極の底面の0.7〜1.2倍であるpサイドアップ型のAlGaInP発光ダイオード。
IPC (1件)：
H01L 33/00 ( 200 6.01)
FI (1件)：
H01L 33/00 222
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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