半導体発光装置

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人特許事務所サイクス
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-079020
公開番号（公開出願番号）：特開平11-340585
特許番号：特許第4163321号
出願日： 1999年03月24日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
請求項（抜粋）：

【請求項1】表面が低次の面方位に対してオフアングルを有する基板上に、活性層を有する化合物半導体層、該化合物半導体層の上に形成され且つ電流が注入されるストライプ領域に対応する領域に開口部を有する選択成長保護膜、および該開口部を覆って前記選択成長保護膜の上面の一部にかかるようにラテラル成長により形成されたリッジ型化合物半導体層を有し、前記オフアングルの方向が、ストライプ領域の長手方向に直交する方向から±30°以内の方向であることを特徴とする半導体発光装置。

IPC (2件)：