特許
J-GLOBAL ID：201103034054524400
高熱伝導窒化ケイ素質焼結体の製造方法およびその焼結体、基板、半導体素子用回路基板
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-159034
公開番号（公開出願番号）：特開2000-344577
特許番号：特許第4332824号
出願日： 1999年06月07日
公開日（公表日）： 2000年12月12日
請求項（抜粋）：
【請求項1】酸素含有量が0.1wt%以上、2.0wt%以下、平均粒子径が0.5〜5μmである窒化ケイ素粉末に、焼結助剤としてマグネシウム(Mg)と、周期律表第3a族元素のうちY、La、Ce、Gd、Dy、Ybの中から選ばれる少なくとも1種の元素(RE)とを添加するものであって、前記Mgを酸化マグネシウム(MgO)換算した量と、前記REを酸化物(RExOy)換算した量との合計量が0.5〜5.0体積%であり、このうち前記RExOy換算した量は0.1体積%を越え、且つ前記MgO/RExOyで表される体積比が1〜50の割合で添加して成形した後、窒素雰囲気下あるいは不活性雰囲気下で、1800〜1900°Cの温度で焼成することを特徴とする高熱伝導窒化ケイ素質焼結体の製造方法。
IPC (3件)：
C04B 35/626 ( 200 6.01)
, C01B 21/068 ( 200 6.01)
, C04B 35/584 ( 200 6.01)
C04B 35/58 102 R
, C01B 21/068 R
, C04B 35/58 102 C
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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