特許
J-GLOBAL ID：201103034338808106
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
志賀 正武
, 高橋 詔男
, 渡邊 隆
, 鈴木 三義
, 西 和哉
, 村山 靖彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-200347
公開番号（公開出願番号）：特開2011-054651
出願日： 2009年08月31日
公開日（公表日）： 2011年03月17日
要約：
【課題】順方向バイアスに対する順方向電流の特性を向上させた半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、第1導電型の半導体層と、該半導体層の表面に所定の離間間隔を有して設けられた第2導電型の半導体領域と、該半導体層及び該半導体領域の表面上に設けられた金属層とを備え、該金属層は、前記半導体層との界面においてショットキー障壁を成し、前記半導体領域との界面においてオーミック接触を成す半導体装置において、前記第1半導体領域の横幅寸法は、前記半導体領域が隣接する前記ショットキー障壁の影響を受ける距離である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体層と、該半導体層の表面に所定の離間間隔を有して設けられた第2導電型の半導体領域と、該半導体層及び該半導体領域の表面上に設けられた金属層とを備え、該金属層は、前記半導体層との界面においてショットキー障壁を成し、前記半導体領域との界面においてオーミック接触を成す半導体装置において、
前記半導体領域の横幅寸法は、前記半導体領域が隣接する前記ショットキー障壁の影響を受ける距離であることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/47
, H01L 29/872
, H01L 29/861
H01L29/48 F
, H01L29/91 C
, H01L29/48 D
, H01L29/91 K
4M104AA03
, 4M104AA04
, 4M104AA10
, 4M104BB13
, 4M104BB14
, 4M104BB18
, 4M104CC01
, 4M104CC03
, 4M104DD96
, 4M104FF02
, 4M104GG02
, 4M104GG03
