特許
J-GLOBAL ID：200903022241691496
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
特許業務法人快友国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-331621
公開番号（公開出願番号）：特開2009-158519
出願日： 2007年12月25日
公開日（公表日）： 2009年07月16日
要約：
【課題】 ジャンクションバリアショットキーダイオードのオン抵抗を低下させる。【解決手段】 半導体装置は、n型の半導体基板と、半導体基板の上面に形成された上部電極を備えている。半導体基板には、その上面に露出するp型半導体領域が、基板面内の少なくとも一方向に沿って繰り返し形成されている。上部電極は、金属材料で形成された金属電極部と、半導体基板よりもバンドギャップの狭い半導体材料で形成された半導体電極部を有している。半導体電極部は、半導体基板の上面に露出するp型半導体領域の上に設けられている。金属電極部は、半導体基板の上面に露出するn型半導体領域にショットキー接触しているとともに、半導体電極部にオーミック接触している。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
n型の半導体基板と、前記半導体基板の上面に形成された上部電極を備え、
前記半導体基板には、その上面に露出するp型半導体領域が、基板面内の少なくとも一方向に沿って繰り返し形成されており、
前記上部電極は、金属材料で形成された金属電極部と、半導体基板よりもバンドギャップの狭い半導体材料で形成された半導体電極部を有し、
前記半導体電極部は、半導体基板の上面に露出するp型半導体領域上に設けられており、
前記金属電極部は、前記半導体基板の上面に露出するn型半導体領域にショットキー接触しているとともに、前記半導体電極部にオーミック接触していることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L29/48 F
, H01L29/48 D
, H01L29/48 M
4M104BB05
, 4M104BB14
, 4M104BB16
, 4M104BB21
, 4M104BB36
, 4M104CC01
, 4M104CC03
, 4M104DD22
, 4M104DD43
, 4M104FF32
, 4M104GG03
, 4M104HH15
出願人引用 (1件)
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炭化珪素からなる半導体装置とその製造方法
公報種別：公表公報
出願番号：特願2001-525771
出願人：サイスドエレクトロニクスデヴェロプメントゲゼルシャフトミットベシュレンクテルハフツングウントコンパニコマンディートゲゼルシャフト
審査官引用 (5件)
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