特許

J-GLOBAL ID：201103034343685071

超平坦透明導電膜およびその製造方法

発明者： 太田 裕道 ,  折田 政寛 ,  細野 秀雄 ,  平野 正浩
出願人/特許権者： 独立行政法人 科学技術振興機構 ,  太田 裕道 ,  折田 政寛
代理人 (1件)： 西 義之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-205941
公開番号（公開出願番号）：特開2002-025349
特許番号：特許第3531865号
出願日： 2000年07月06日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 平均表面粗さRaが1nm未満の超平坦化したYSZ単結晶基板上に成膜されたITO透明導電膜であり、該透明導電膜材料の酸化インジウムの結晶構造を反映した、堆積する原子の酔歩運動により成長したテラス=ステップ構造からなる平均表面粗さが1nm以下の超平坦面を有し、その上に発光層となる有機材料や無機材料を堆積させるために用いられることを特徴とする超平坦透明導電膜。

IPC (8件)：

H01B 5/14 ,  C23C 14/08 ,  C23C 16/40 ,  H01B 13/00 503 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 33/00 ,  H05B 33/28

FI (10件)：

H01B 5/14 A ,  C23C 14/08 D ,  C23C 16/40 ,  H01B 13/00 503 B ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/285 P ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/285 301 ,  H01L 33/00 E ,  H05B 33/28

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 炭化ケイ素膜付きガラス基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-327792   出願人：ホーヤ株式会社
• 低抵抗ITO薄膜及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-187755   出願人：ホーヤ株式会社