特許
J-GLOBAL ID:201103034360891025
半導体装置、回路基板及び電子機器
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
布施 行夫
, 大渕 美千栄
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-216870
公開番号(公開出願番号):特開2002-033442
特許番号:特許第3818359号
出願日: 2000年07月18日
公開日(公表日): 2002年01月31日
請求項(抜粋):
【請求項1】 電極が形成されてなる少なくとも3つの半導体チップを有し、前記少なくとも3つの半導体チップは、第1の半導体チップと、前記第1の半導体チップに搭載された第2の半導体チップと、前記第2の半導体チップに搭載された第3の半導体チップと、を含み、
前記少なくとも3つの半導体チップは、前記電極が形成された面を同じ方向に向けて積み重ねられ、
前記第1及び第2の半導体チップは、それぞれ、相互にずれてはみ出す部分を有し、前記はみ出す部分に前記電極が形成され、
前記第1の半導体チップは、矩形の外形をなし、
前記第1の半導体チップの前記電極は、端部であって隣り合う2辺に並んで形成され、
前記第2の半導体チップは、前記第1の半導体チップにおける前記電極が形成された面に前記電極を避けて搭載され、前記第1の半導体チップの前記電極から離れる方向に前記第1の半導体チップの外側に突出し、前記第1の半導体チップの前記2辺に対向する他の2辺を超えて外側に突出し、
前記第2及び第3の半導体チップは、それぞれ、相互にずれてはみ出す部分を有し、前記はみ出す部分に前記電極が形成され、
前記第3の半導体チップは、前記第1の半導体チップと同じ方向に前記第2の半導体チップからはみ出して、前記第3の半導体チップの端部が前記第1の半導体チップの前記電極の上方に位置してなる半導体装置。
IPC (4件):
H01L 25/18 ( 200 6.01)
, H01L 25/07 ( 200 6.01)
, H01L 25/065 ( 200 6.01)
, H01L 23/12 ( 200 6.01)
FI (3件):
H01L 25/08 Z
, H01L 23/12 501 V
, H01L 23/12 501 W
引用特許:
出願人引用 (7件)
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特開昭57-031166
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特開平4-302164
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半導体集積回路およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-131644
出願人:シャープ株式会社
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半導体装置及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-114352
出願人:株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
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半導体装置およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-022802
出願人:株式会社日立製作所, アキタ電子株式会社
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電子素子用リードフレーム・パッケージ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-246624
出願人:インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
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特開平4-199566
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審査官引用 (7件)
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半導体集積回路およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-131644
出願人:シャープ株式会社
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特開昭57-031166
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電子素子用リードフレーム・パッケージ
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-246624
出願人:インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
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特開平4-302164
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半導体装置及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-114352
出願人:株式会社日立製作所, 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
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半導体装置およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-022802
出願人:株式会社日立製作所, アキタ電子株式会社
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特開平4-199566
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