半導体レーザ素子およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：長谷川芳樹 , 塩田辰也 , 寺崎史朗 , 山田行一 , 近藤伊知良
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-046575
公開番号（公開出願番号）：特開2000-244067
特許番号：特許第4192324号
出願日： 1999年02月24日
公開日（公表日）： 2000年09月08日
請求項（抜粋）：

【請求項1】半導体基板上に設けられた活性層と、前記活性層上に設けられ、AlGaInP半導体およびGaInP半導体の少なくともいずれか一方を含む第1のクラッド層と、前記第1のクラッド層上に設けられ、GaAsP半導体を含む中間層と、前記中間層上に設けられ、AlGaInP半導体およびGaInP半導体の少なくともいずれか一方を含む第2のクラッド層と、を備え、前記中間層のバンドギャップは、前記第1および第2のクラッド層のバンドギャップの少なくとも一方と略同一である半導体レーザ素子。

IPC (1件)：