薄膜構造体の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：吉竹英俊 , 有田貴弘
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-516107
特許番号：特許第4558315号
出願日： 2001年07月23日
請求項（抜粋）：

【請求項1】シリコンによって形成された基板本体(31)、前記基板本体上に形成されたシリコン酸化膜(33)、及び前記シリコン酸化膜を覆う窒化膜(47)を含む基板(1)と、前記基板上に形成された犠牲膜(51)の上に形成され、前記犠牲膜の除去により前記基板と所定間隔をあけて配置された薄膜体(21,23,25)とを備える薄膜構造体の製造方法において、前記犠牲膜を、燐が3mol%より大きく、4mol%よりも小さな濃度値で混入されたPSG(phosphosilicateglass)膜によって形成することを特徴とする薄膜構造体の製造方法。

IPC (1件)：