特許
J-GLOBAL ID:201103035089610330
半導体発光装置の製造方法、半導体発光装置および液晶表示装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
特許業務法人 山王坂特許事務所
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-219476
公開番号(公開出願番号):特開2011-071221
出願日: 2009年09月24日
公開日(公表日): 2011年04月07日
要約:
【課題】発光効率の高い側面発光型の半導体発光装置の製造方法を提供する。【解決手段】所定の電極パターンを有する基板1上に、発光素子2を配置する。発光素子2と所定の空間を空けて基板上に側壁部材4を配置する。発光素子2と電極パターンとを電気的に接続する。発光素子2の側面の少なくとも一部と、側壁部材4との間の空間に光反射性樹脂3を充填する。発光素子2の周囲に発光素子2からの光を透過する封止材7を充填する。少なくとも封止材7の上面に光反射性を有する天井部5を配置する。これにより、発光素子2の背面方向に向かう光を光反射性部材3で反射し、放出口6から出射できる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
所定の電極パターンを有する基板上に、発光素子を配置する工程と、
当該発光素子と所定の空間を空けて前記基板上に側壁部材を配置する工程と、
前記発光素子と前記電極パターンとを電気的に接続する工程と、
前記発光素子の側面の少なくとも一部と、前記側壁部材との間の空間に光反射性樹脂を充填する工程と、
前記発光素子の周囲に前記発光素子からの光を透過する封止材を充填する工程と、
少なくとも前記封止材の上面に光反射性を有する天井部を配置する工程、とを有することを特徴とする半導体発光装置の製造方法。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L33/00 432
, G02F1/13357
Fターム (12件):
2H191FA37Z
, 2H191FA71Z
, 2H191FA85Z
, 2H191FD15
, 2H191LA31
, 5F041AA03
, 5F041DA20
, 5F041DA43
, 5F041DA74
, 5F041DA78
, 5F041DB09
, 5F041DC24
引用特許:
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