プラズマディスプレイパネルの上部基板及び上部誘電体形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山川政樹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-030544
公開番号（公開出願番号）：特開2000-228149
特許番号：特許第3406880号
出願日： 2000年02月08日
公開日（公表日）： 2000年08月15日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板の上に形成された電極と、前記電極が形成された基板上に形成され可視光透過率が80%以上でかつ誘電率が1000以上の強誘電体材料からなる強誘電体薄膜(30A)と、前記強誘電体薄膜上に形成された誘電体厚膜(30B)と、前記誘電体厚膜上に形成されたMgO保護膜(18)とを有することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの上部基板。

IPC (2件)：