特許
J-GLOBAL ID：201103035488190590
強誘電体メモリ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北村 修一郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-300745
公開番号（公開出願番号）：特開2001-135073
特許番号：特許第4033624号
出願日： 2000年09月29日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 一側方向に伸張される多数本のビットライン、前記各ビットラインに垂直な同一方向にそれぞれ伸張される多数本のプレート電極ライン及び多数本のワードラインを有し、M×Nの配列で前記各ラインに接続され、それぞれ一つのトランジスタとキャパシターで構成された多数の単位セルからなる強誘電体メモリにおいて、
前記各ビットラインに、隔行で又は隔列で交互に配置される方式でそれぞれ直列に連結される多数の単位セルからなる多数の単位セルグループと、
前記各ビットラインの任意の位置にそれぞれ連結され、それぞれ一つのトランジスタとキャパシターからなる多数のダミーセルを含むダミーセルグループと、
外部からの制御信号に応答して、前記各ダミーセルと対応する各ビットライン内の単位セル間の連結をスイッチングし、多数のダミーセルの中で、二つのダミーセルの入出力間の結合をスイッチングする多数のスイッチングトランジスタからなるスイッチングトランジスタグループと、を含み、
前記誘電体メモリは、前記多数本のビットラインから選択されたいずれか1ビットライン内の任意の単位セルからデータが読み出される時、前記選択されたビットラインに隣接する2本のビットラインに連結されたダミーセル間から提供される平均電圧を、前記読み出しデータに相応する電圧との比較のための基準電圧として、前記選択されたビットラインの隣接ビットラインに提供し、
前記ダミーセルグループのうちの少なくとも一つのダミーセルは、1本のダミープレート電極ラインに連結され、前記ダミーセルグループのうちの残りのダミーセルは、他のダミープレート電極ラインに連結され、前記ダミーセルグループを構成するダミーセルは、1本のダミーワードラインに共通で連結されることを特徴とする強誘電体メモリ。
IPC (1件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (3件)
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