特許

J-GLOBAL ID：201103036048399930

半導体装置の製造方法

発明者： 菅井 敏幸
出願人/特許権者： 山形日本電気株式会社
代理人 (1件)： 岩佐 義幸
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-167883
公開番号（公開出願番号）：特開2000-357640
特許番号：特許第3459794号
出願日： 1999年06月15日
公開日（公表日）： 2000年12月26日
請求項（抜粋）：

【請求項1】一枚の半導体ウエーハから同一の電気的特性を有する半導体装置(ペレット)を複数個製造する半導体装置の製造方法において、前記一枚の半導体ウエーハに半導体素子を形成した後に全面に配線材となる金属膜を成長させる工程と、前記金属膜の表面にフォトレジストを塗布する工程と、露光することにより配線を任意に形成する工程と、前記フォトレジストを現像液で現像する前に、一部分のみ紫外線や赤外線などの光線を透過するパターンを有する露光用のレティクルを用いて再度露光する工程とを含み、前記再度露光する時のレティクルは、識別用パターン作成用の開口部のみ有し、前記再度露光する時、X方向とY方向とにステップする時に、前記ペレットの寸法と異なるステップ幅でX,Y方向に移動し、前記複数個の半導体装置が、前記半導体ウエーハのどの部分にあったかを識別可能にする異なる識別情報を付与することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 21/02

FI (1件)：

H01L 21/02 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-200179   出願人：株式会社デンソー
• 半導体素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-009220   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-215473   出願人：株式会社日立製作所
• 特開平4-321211