特許
J-GLOBAL ID：201103036255987826
半導体装置製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
堀 城之
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-049526
公開番号（公開出願番号）：特開2000-252442
特許番号：特許第3298541号
出願日： 1999年02月26日
公開日（公表日）： 2000年09月14日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 所定の検査においてショートを発見でき冗長回路の数の範囲内で救済が可能となる半導体装置製造方法であって、HSG型の下部ポリシリ電極を形成する第1工程と、前記下部ポリシリ電極のポリシリコン膜の加工を行う第2工程と、前記第2工程時にマスク材としてのフォトレジストを形成する第3工程と、前記第3工程におけるフォトレジストが付いている状態で所定の不純物のイオン注入を行う第4工程と、前記第4工程に続けてHSG成長を行う第5工程とを有し、前記第4工程における不純物のソースが砒素及び/またはその化合物を含むことを特徴とする半導体装置製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/8242
, H01L 21/822
, H01L 27/04
, H01L 27/108
H01L 27/10 621 B
, H01L 27/04 C
