特許

J-GLOBAL ID：201103036483087436

微細パターンの形成方法、半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： 岡部 一朗 ,  荒井 宏貴
出願人/特許権者： 株式会社半導体先端テクノロジーズ ,  日本エー・エス・エム株式会社
代理人 (1件)： 高田 守
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-174761
公開番号（公開出願番号）：特開2001-007115
特許番号：特許第3354901号
出願日： 1999年06月21日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 下地基板上に、直接またはその他の層を介して、酸化シリコン系の膜を製膜する工程と、前記の膜の上に化学増幅型フォトレジストを形成する工程と、前記化学増幅型フォトレジストにマスクを介して露光を行い、マスクパターンを転写する工程を有する微細パターンの形成方法であって、前記酸化シリコン系の膜を製膜する工程において原材料ガスの1つに窒素を含む酸化性ガスを用いて膜表面中に含まれる窒素の含有率を0.1atm%以下にすることを特徴とする微細パターンの形成方法。

IPC (5件)：

G03F 7/11 503 ,  G03F 7/11 502 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/31

FI (6件)：

G03F 7/11 503 ,  G03F 7/11 502 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/30 563 ,  H01L 21/30 574

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 半導体装置および半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-306133   出願人：三菱電機株式会社
• パターン形成方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法並びに半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-258965   出願人：ソニー株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-217555   出願人：富士通株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-122321   出願人：日本電気株式会社