窒化物系化合物半導体及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本秀策
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-076890
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277434
特許番号：特許第3549151号
出願日： 1999年03月19日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
請求項（抜粋）：

【請求項1】GaまたはAlを1×1017cm-3以上、1×1020cm-3以下である所定の濃度でドーピングして結晶成長させたInN層を有する窒化物系化合物半導体。

IPC (2件)：