半導体装置、製造方法及びそれを用いたイメージセンサ装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：机昌彦 , 工藤雅司 , 谷澤靖久
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-120989
公開番号（公開出願番号）：特開2000-311996
特許番号：特許第3714025号
出願日： 1999年04月28日
公開日（公表日）： 2000年11月07日
請求項（抜粋）：

【請求項1】絶縁基板と、前記絶縁基板上においてディジタル信号配線が形成された第1の領域と、前記絶縁基板上においてアナログ信号配線が形成された第2の領域とを有し、前記第1、第2の領域の間の領域には少なくとも固定電位が与えられた配線が設けられ、前記第1の領域に含まれる前記ディジタル信号配線と、前記第2の領域に含まれるアナログ信号配線とが隣接しないようにレイアウトされた半導体装置であって、前記絶縁基板上で、前記第2の領域を除いた領域のうち、少なくとも前記第1の領域の上下両方にシールド電極を設けたことを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：