特許
J-GLOBAL ID：201103037649780794
セラミックス回路基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
波多野 久
, 関口 俊三
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-280645
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102476
特許番号：特許第4515562号
出願日： 1999年09月30日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 セラミックス基板材料粉末に焼結助剤を添加して原料粉末を解砕および混合した後シート成形して成形体とする工程と、
前記成形体に孔または溝からなる加工部を形成する工程と、
加工部が形成された前記成形体を焼成して、熱伝導率160W/m・k以上の窒化アルミニウム(AlN)焼結体または熱伝導率60W/m・k以上の窒化ケイ素(Si3N4)焼結体からなる焼結体とする焼成工程と、
前記焼結体を前記焼成工程よりも50°C以上低い温度で再加熱して、前記加工部近傍に存在するファインクラックに液相成分を充填させる再加熱工程と、
前記ファインクラックに液相成分が充填された焼結体の表面にメタライズ層を形成するメタライズ工程と、
を備えることを特徴とするセラミックス回路基板の製造方法。
IPC (6件)：
C04B 41/80 ( 200 6.01)
, C04B 35/584 ( 200 6.01)
, C04B 35/581 ( 200 6.01)
, H01L 23/08 ( 200 6.01)
, H01L 23/13 ( 200 6.01)
, H05K 1/03 ( 200 6.01)
C04B 41/80 A
, C04B 35/58 102 X
, C04B 35/58 104 Q
, H01L 23/08 C
, H01L 23/12 C
, H05K 1/03 610 E
