特許
J-GLOBAL ID：201103038090874765
光導波路デバイスの作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
長谷川 芳樹
, 塩田 辰也
, 寺崎 史朗
, 柴田 昌聰
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-385554
公開番号（公開出願番号）：特開2002-189139
特許番号：特許第4670145号
出願日： 2000年12月19日
公開日（公表日）： 2002年07月05日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 プラズマ気相堆積装置を用いてクラッド領域とコア領域とを含む光導波路層を基板上に形成し、光導波路デバイスを作製する作製方法であって、前記プラズマ気相堆積装置を用いて、
所定の高周波電力値にて、下部クラッド層と、コア層と、屈折率が前記下部クラッド層と等しいキャップ層とを前記基板上に順次形成した後、
前記キャップ層及び前記コア層の所定の一部を除去することにより、上部に前記キャップ層を有しており、光が閉じ込められて伝搬される前記コア領域を形成し、
前記上部にキャップ層を有する前記コア領域を備えた前記基板上に、前記プラズマ気相堆積装置を用いて上部クラッド層を形成するに際して形成されるオーバーハングが大きくなるに従って、前記高周波電力値を前記所定の高周波電力値と等しい値から漸次増加させる、
ことを特徴とする光導波路デバイスの作製方法。
IPC (2件)：
G02B 6/13 ( 200 6.01)
, G02B 6/122 ( 200 6.01)
G02B 6/12 M
, G02B 6/12 A
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (8件)
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