特許
J-GLOBAL ID：201103038119835454

光半導体素子駆動回路及び光送受信モジュール

発明者：
上 西 克 二

上 西 克 二 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (4件)： 佐藤 一雄 ,  橘谷 英俊 ,  佐藤 泰和 ,  日向寺 雅彦
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-184382
公開番号（公開出願番号）：特開2001-015854
特許番号：特許第4116198号
出願日： 1999年06月29日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
請求項（抜粋）：
【請求項1】増幅手段と、前記増幅手段の出力電圧の振幅を一定値に制限するリミッタ手段と、を有し、リミツタ型増幅手段として動作することにより入力信号を増幅し整形して差動電圧パルスを生成するプリドライバ回路と、 前記プリドライバ回路から出力される前記差動電圧パルスに基づき、外部負荷としての光半導体素子に駆動パルス電流を出力する出力回路と、 を備えた光半導体素子駆動回路であって、 前記出力回路は、 共通結節点において互いのエミッタが共通接続された第1のトランジスタ及び第2のトランジスタと、前記共通結節点と接地との間に接続された抵抗と、前記共通結節点に接続された可変定電流電源と、を有し、前記プリドライバ回路から出力された前記差動電圧パルスは、前記第1のトランジスタのベースとともに第2のトランジスタのベースにも入力され、前記第2のトランジスタのコレクタ出力電流が、前記駆動パルス電流として出力され、 前記第1のトランジスタのベースに入力された前記電圧パルスの瞬時レベルが低い時には、前記第1のトランジスタは遮断状態で前記第2のトランジスタは飽和動作に近い一定電流オン状態にあり、前記電圧パルスの入力レベルが所定の値以上に上昇した時には、前記第1のトランジスタは飽和動作に近い一定電流オン状態で前記第2のトランジスタは遮断状態になり、前記遮断状態と前記一定電流オン状態との中間の過渡状態ではエミッタ帰還が働いて前記第1のトランジスタと前記第2のトランジスタは互いにスイッチ反転するものとして構成されたことを特徴とする光半導体素子駆動回路。
IPC (1件)：
H01S 5/062 ( 200 6.01)
FI (1件)：
H01S 5/062
引用特許：
出願人引用 (11件)
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