特許
J-GLOBAL ID：201103038173345241
窒化物半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
鮫島 睦
, 田村 恭生
, 田村 啓
, 石井 久夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-213606
公開番号（公開出願番号）：特開2001-044498
特許番号：特許第4411695号
出願日： 1999年07月28日
公開日（公表日）： 2001年02月16日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 透光性基板上に形成されたn型窒化物半導体層と、該n型窒化物半導体層上に互いに分離されて設けられたn電極とp型窒化物半導体層と、上記p型窒化物半導体層の一部に設けられたp電極と、上記n電極及びp電極の各上面の開口部分を除き上記各半導体層及び上記各電極を覆うように設けられた絶縁保護膜とを備えた窒化物半導体発光素子において、
上記p電極上の上記開口部分外側の上記絶縁保護膜上に上記p電極と導通する第1導体を形成し、
上記n電極上の上記開口部分外側の上記絶縁保護膜上に上記n電極と導通する第2導体を形成し、
上記p電極は、上記p型窒化物半導体層上のほぼ全面に形成された全面電極と該全面電極の一部に形成されたpパッド電極とからなり、上記絶縁保護膜において上記pパッド電極上に上記開口部分が形成され、かつ
上記第1導体と上記第2導体との間隔を、上記pパッド電極と上記n電極の間隔に比較して大きくしたことを特徴とする窒化物半導体発光素子。
IPC (3件)：
H01L 33/36 ( 201 0.01)
, H01L 33/44 ( 201 0.01)
, H01L 33/32 ( 201 0.01)
H01L 33/00 200
, H01L 33/00 300
, H01L 33/00 186
