特許
J-GLOBAL ID：201103038847114232
半導体チップの製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
田下 明人
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-219249
公開番号（公開出願番号）：特開2000-174050
特許番号：特許第4416874号
出願日： 1999年08月02日
公開日（公表日）： 2000年06月23日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 以下の(1)〜(3)の工程を少なくとも含むことを特徴とする半導体チップの製造方法:
(1)半導体チップのアルミニウム電極パッド側の表面に樹脂絶縁層を形成し、次いで前記樹脂絶縁層にアルミニウム電極パッドに至る非貫通孔を形成する工程、
(2)前記非貫通孔の底部のアルミニウム電極パッドにジンケート処理を施した後、ニッケルと銅の複合めっき層を形成する工程、
(3)前記非貫通孔に銅めっきにより、ビアを形成する工程。
IPC (1件)：
FI (4件)：
H01L 21/92 604 D
, H01L 21/92 602 F
, H01L 21/92 603 D
, H01L 21/60 311 S
