特許

J-GLOBAL ID：201103039035253081

プラズマ処理方法

発明者： 石 井 信 雄 ,  吹 上 紀 明 ,  赤 堀 孝
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (7件)： 吉武 賢次 ,  永井 浩之 ,  岡田 淳平 ,  名塚 聡 ,  森 秀行 ,  勝沼 宏仁 ,  宮腰 健介
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-571489
特許番号：特許第3706027号
出願日： 1999年09月17日
請求項（抜粋）：

【請求項1】真空容器内の載置部に被処理基板を載置し、この被処理基板と対向するガス供給部から、少なくともフッ素を含む化合物のガスを含んだ成膜ガスを供給すると共に、前記真空容器内に導入されたマイクロ波による電界と磁界との相互作用により電子サイクロトロン共鳴を起こし、これに基づいて成膜ガスをプラズマ化し、そのプラズマにより被処理基板に対して成膜処理を行う方法において、周波数50Hz〜100Hzのパルスにより変調した前記マイクロ波を前記真空容器内に導入することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/31 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/318

FI (3件)：

H01L 21/31 C ,  H01L 21/316 B ,  H01L 21/318 B

引用特許：

出願人引用 (3件)

• ラジカルの制御方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-205690   出願人：名古屋大学長
• 表面処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-244688   出願人：アネルバ株式会社
• プラズマCVD法及び装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-276348   出願人：日新電機株式会社

審査官引用 (2件)

• ラジカルの制御方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-205690   出願人：名古屋大学長
• 表面処理装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-244688   出願人：アネルバ株式会社