特許
J-GLOBAL ID：200903050384800745
プラズマCVD法及び装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
谷川 昌夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-276348
公開番号（公開出願番号）：特開平7-183236
出願日： 1994年11月10日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：
【要約】【目的】 膜堆積に寄与する反応種の生成を妨げず、ダストパーティクル発生の原因となる反応種の生成を抑制することにより、成膜速度を著しく低下させることなく、或いは向上させて成膜でき、且つ、ダストパーティクル発生を抑制してそれだけ高品質の膜を形成できるプラズマCVD法及び装置を提供する。【構成】 成膜用原料ガスをプラズマ化し、このプラズマのもとで被成膜基体S1上に膜を形成するプラズマCVD法及び装置において、原料ガスのプラズマ化を、周波数が10MHzから200MHzの範囲の基本高周波電力にこの周波数の1000分の1から10分の1の範囲における変調周波数で振幅変調を施した状態の高周波電力の印加により、或いはさらに該振幅変調周波数の100倍未満で100分の1より高い変調周波数で第2の振幅変調も施した状態の高周波電力の印加により行うプラズマCVD法及び装置。
請求項（抜粋）：
成膜用原料ガスをプラズマ化し、該プラズマのもとで被成膜基体上に膜を形成するプラズマCVD法において、前記原料ガスのプラズマ化を、周波数が10MHzから200MHzの範囲の基本高周波電力に該周波数の1000分の1から10分の1の範囲における変調周波数で振幅変調を施した状態の高周波電力の印加により行うことを特徴とするプラズマCVD法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C23C 16/44
, H01L 21/31
