特許
J-GLOBAL ID：201103039165475540

電界効果型半導体装置

発明者：
稲井 誠

稲井 誠 について

, 
佐々木 秀彦

佐々木 秀彦 について


出願人/特許権者：
株式会社村田製作所

株式会社村田製作所 について


公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-256059
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085672
特許番号：特許第3707766号
出願日： 1999年09月09日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 チャネル層となるn型半導体層とコンタクト層となるn型半導体層との間に、該チャネル層及び該コンタクト層より電子親和力の小さい半導体層が形成され、前記コンタクト層を除去して設けられたリセスの両側において前記コンタクト層の上にそれぞれオーミック電極が設けられ、前記リセスの底に露出した前記電子親和力の小さい半導体層にショットキー電極が設けられた電界効果型半導体装置において、 前記電子親和力の小さい半導体層はノンドープのAlGaAs層を2つのn型AlGaAs層で挟んだ3層の積層構造になっており、 前記ショットキー電極は前記電子親和力の小さい半導体層に埋め込まれることによって、その底面が前記ノンドープのAlGaAs層に接触しており、 前記電子親和力の小さい半導体層のうち前記チャネル層と接するn型AlGaAs層と前記チャネル層との関係及び前記コンタクト層と接するn型AlGaAs層と前記コンタクト層との関係が、いずれもイソ型ヘテロ接合となっていることを特徴とする電界効果型半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812
FI (2件)：
H01L 29/80 H ,  H01L 29/80 B
引用特許：
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM