特許
J-GLOBAL ID：201103039278924510
表示素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
佐藤 一雄
, 小野寺 捷洋
, 中村 行孝
, 紺野 昭男
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-069285
公開番号（公開出願番号）：特開2000-268701
特許番号：特許第3595718号
出願日： 1999年03月15日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
請求項（抜粋）：
【請求項1】カソード電極ラインと、エミッタ層と、このエミッタ層上に形成された絶縁層と、前記カソード電極ラインに交差するゲート電極ラインとが順に形成された第一の基板と、前記第一の基板に真空を介して離間および対向して配置された、アノード配線層と蛍光体層とから形成された第二の基板とを有する表示素子であり、前記第一の基板の前記カソード電極ラインと前記ゲート電極ラインとの交差領域において前記ゲート電極ラインおよび前記絶縁層を貫通して前記エミッタ層を露出させた孔が電子放出部となるように構成された表示素子であって、前記エミッタ層が表面に界面活性剤がコートされた微粒子の集合体によって構成されているものであり、かつ前記エミッタ層上の前記絶縁層がフッ素を含有するSiO2膜よりなることを特徴とする、表示素子。
IPC (3件)：
H01J 1/304
, H01J 1/30
, H01J 9/02
H01J 1/30 F
, H01J 9/02 B
, H01J 1/30 A
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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