特許
J-GLOBAL ID：201103039436008969
X線マスクの製造方法およびその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
和泉 良彦 (外1名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-236801
公開番号（公開出願番号）：特開2001-059193
特許番号：特許第3415074号
出願日： 1999年08月24日
公開日（公表日）： 2001年03月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】プラズマによるエッチング装置を用いてX線マスクを製造する方法において、上記エッチング装置のエッチング室におけるプラズマの発光強度をモニターする受光手段を配置し、上記プラズマ中の化学種の発光を分光する手段として、光フィルターもしくは分光器を用いて発光強度信号を検出する工程と、上記エッチング用ガスとして、少なくとも塩素を含むガスを用い、かつエッチング対象として少なくともタンタル(Ta)を含むX線吸収体を用い、エッチングの始点および終点の判定は、プラズマ中の波長220nm〜350nm範囲の発光、もしくは上記波長領域内の特定波長範囲の発光を利用し、上記プラズマ中の化学種の発光強度信号に設定の演算処理を施すことによりエッチングの始点と終点を判定する工程と、上記エッチングの開始または終了点より所定の時間経過後、エッチング条件を変更する工程、もしくはエッチングを停止する工程を、少なくとも含むことを特徴とするX線マスクの製造方法。
IPC (4件)：
C23F 4/00
, G03F 1/16
, H01L 21/027
, H01L 21/3065
C23F 4/00 F
, G03F 1/16 A
, H01L 21/30 531 M
, H01L 21/302 E
