特許
J-GLOBAL ID：201103039864342989
窒化物半導体レーザ装置とその光学装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
大前 要
, 板東 義文
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-235946
公開番号（公開出願番号）：特開2003-051637
特許番号：特許第4040852号
出願日： 2001年08月03日
公開日（公表日）： 2003年02月21日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 AlxGayInzN(0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1、x+y+z=1)からなる窒化物半導体基板に溝と丘が形成された加工基板上に、又は、窒化物半導体基板上に形成された窒化物半導体層に溝と丘が形成された加工基板上に形成された電流狭窄構造を有する窒化物半導体レーザ素子であって、
前記溝と丘が窒化物半導体の膜で完全に被覆されずに残っており、
前記窒化物半導体基板を含む窒化物半導体レーザ素子の厚みが、30μm以上150μm以下であり、
ワイヤーボンドが、前記電流狭窄構造と対向する前記窒化物半導体基板の裏面に、前記電流狭窄構造の短手方向の中央から両側150μm以内に形成されていることを特徴とする窒化物半導体レーザ装置。
IPC (3件)：
H01S 5/022 ( 200 6.01)
, H01L 21/60 ( 200 6.01)
, H01S 5/323 ( 200 6.01)
H01S 5/022
, H01L 21/60 301 N
, H01S 5/323 610
