特許
J-GLOBAL ID：201103039947650952

薄膜形成方法

発明者：
劉 憶軍

劉 憶軍 について

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神力 博

神力 博 について

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真柄 敬

真柄 敬 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (5件)： 山川 政樹 ,  黒川 弘朗 ,  紺野 正幸 ,  西山 修 ,  山川 茂樹
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-588798
特許番号：特許第4008664号
出願日： 1999年12月13日
請求項（抜粋）：
【請求項1】第1の温度に加熱した基体表面上に有機金属化合物の気体と酸化ガスとを導入して薄膜形成対象の基体雰囲気を第1の真空度とした状態で、前記基体表面に前記有機金属化合物を構成している金属の酸化物からなる複数の結晶核を形成する第1の工程と、 第2の温度に加熱した前記基体表面に前記有機金属化合物の気体と酸化ガスとを導入して前記基体雰囲気を前記第1の工程より低真空の第2の真空度とした状態とすることにより前記基体表面への前記有機金属化合物の気体の供給量を増加させ、前記金属の酸化物からなる膜を前記基体表面上に形成する第2の工程と を備え、 前記第1の工程では、前記基体表面上に前記金属の酸化物の結晶核が成長した結晶粒が隣の結晶核より成長する結晶粒と接触するように前記複数の結晶核を高密度に形成し、 前記第2の工程では、前記第2の温度を、前記基体表面に前記金属の酸化物が結晶成長する温度未満とし、前記結晶核を起源として前記金属の酸化物の結晶成長が行われる ことを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (1件)：
H01L 21/316 ( 200 6.01)
FI (1件)：
H01L 21/316 X
引用特許：
審査官引用 (4件)
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