強誘電体薄膜の製造方法、強誘電体薄膜被覆基板及びキャパシタ

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野河信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-355320
公開番号（公開出願番号）：特開平10-182291
出願日： 1996年12月20日
公開日（公表日）： 1998年07月07日
要約：

【要約】【課題】強誘電体薄膜Bi4 Ti3 O12の配向性を任意に制御することで、該材料が有するa軸方向の大きい残留分極、c軸方向の小さい抗電界を有効に引出し各種のデバイスへの応用を可能とすることを課題とする。【解決手段】気相成長法により強誘電体薄膜を形成する際、成膜チャンバー内の圧力及び原料ガスと任意に導入されるキャリアガスの総流量を一定とし、総流量中の酸素ガスの流量を変化させることにより、強誘電体薄膜の配向性をc軸優先配向からランダム配向を経て(117)優先配向まで連続的に変えることが可能となる。

請求項（抜粋）：

基板上に、Bi2 Am-1 Bm O3m+3(AはNa1+、K1+、Pb2+、Ca2+、Sr2+、Ba2+又はBi3+から選択され、BはFe3+、Ti4+、Nb5+、W6+、Mo6+から選択され、mは1以上の自然数である)で示される層状ペロブスカイト結晶構造を有する強誘電体薄膜を形成しうる原料ガスを成膜チャンバーに導入するに際して、成膜チャンバー内の圧力及び原料ガスと任意に導入されるキャリアガスの総流量を一定とし、原料ガス中の酸素ガスの流量を所望の配向性を有する強誘電体薄膜を形成するために必要な任意の値に制御することを特徴とする強誘電体薄膜の製造方法。

IPC (5件)：

C30B 29/22 , C23C 16/40 , C30B 29/32 , H01B 3/12 318 , H01L 21/316

FI (5件)：

C30B 29/22 , C23C 16/40 , C30B 29/32 A , H01B 3/12 318 Z , H01L 21/316 X

引用特許：

審査官引用 (4件)

結晶性薄膜の成形法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-122756 出願人：ローム株式会社
酸化物結晶薄膜の製造方法及び薄膜素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-139131 出願人：シャープ株式会社
強誘電体結晶薄膜及び該強誘電体結晶薄膜を有する強誘電体薄膜素子及び該強誘電体結晶薄膜の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-134359 出願人：シャープ株式会社

全件表示

引用文献：

審査官引用 (4件)

Preparation of Bi4Ti3O12 Thin Films with c-axis Orientation by MOCVD Using Bi(o-C7H7)3 and Ti(i-OC3H
Effects of Oxygen Concentration on Growth of Bi4Ti3O12 Thin Films by Metalorganic Chemical Vapor
Preparation of Bi4Ti3O12 Films by MOCVD and Their Application to Memory Devices

全件表示

前のページに戻る