半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：鈴江武彦 , 河野哲 , 中村誠 , 村松貞男 , 橋本良郎
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-297672
公開番号（公開出願番号）：特開2002-110963
特許番号：特許第4044276号
出願日： 2000年09月28日
公開日（公表日）： 2002年04月12日
請求項（抜粋）：

【請求項1】第1導電型の半導体基板に形成された柱状部の側面及び上面に、第1導電型の第1不純物領域、第2導電型の第2不純物領域、及び第1導電型の第3不純物領域が前記柱状部側から順に積層されてなる半導体層を有する突起部と、前記突起部の少なくとも側面上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、前記ゲート電極を挟むように前記突起部の第3不純物領域内に形成された第2導電型のソース領域及びドレイン領域と、前記突起部を挟むように前記半導体基板上に形成された第1、第2素子分離絶縁膜と、前記第1素子分離絶縁膜下の前記半導体基板内に形成された第1導電型の第4不純物領域と、前記第2素子分離絶縁膜下の前記半導体基板内に形成された第1導電型の第5不純物領域とを具備し、前記第3不純物領域は前記第4不純物領域及び第5不純物領域に接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (1件)：

H01L 29/78 ( 200 6.01)

FI (1件)：

H01L 29/78 301 X

引用特許：

審査官引用 (15件)

改良された絶縁ゲート型トランジスタを有する半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-106856 出願人：キヤノン株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-090220 出願人：川崎製鉄株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-090219 出願人：川崎製鉄株式会社

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