特許
J-GLOBAL ID：201103040252080142
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大西 健治
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-032784
公開番号（公開出願番号）：特開2000-232075
特許番号：特許第3595182号
出願日： 1999年02月10日
公開日（公表日）： 2000年08月22日
請求項（抜粋）：
【請求項1】第1導電型の半導体基体表面上に、ゲート絶縁膜および該ゲート絶縁膜上にゲート電極を選択的に積層形成する工程と、前記ゲート電極をマスクにして、第1導電型の不純物を前記半導体基体表面より所定の深さに導入する工程と、前記第1導電型の不純物を導入した部分の前記半導体基体の露出した表面を覆う外部拡散防止用膜を形成する工程と、前記外部拡散防止用膜を形成後、前記第1導電型の不純物を前記ゲート電極下のチャネル領域の所定部に拡散させる工程と、前記拡散工程後、前記ゲート電極をマスクにして、第2導電型の不純物を前記半導体基体表面より所定の深さに導入する工程と、前記第2導電型の不純物を導入後、前記第2導電型の不純物を拡散させることにより、第2導電型のソースおよびドレインを形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法において、前記外部拡散防止用膜を形成する工程と、前記第1導電型の不純物を拡散させる工程とは、酸素雰囲気中で連続して行い、前記外部拡散防止用膜を形成する工程は、前記第1導電型の不純物が外部に拡散しない程度の温度で行い、前記第1導電型の不純物を拡散させる工程は、800〜850°Cの温度で行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/265 F
, H01L 29/78 301 S
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (7件)
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