特許
J-GLOBAL ID：201103040860122397

シヨットキバリアダイオード及びその製造方法

発明者：
大塚 康二

大塚 康二 について

, 
杢 哲次

杢 哲次 について


出願人/特許権者：
サンケン電気株式会社

サンケン電気株式会社 について


代理人 (1件)： 高野 則次
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-248737
公開番号（公開出願番号）：特開2003-060212
特許番号：特許第4210823号
出願日： 2001年08月20日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 窒化物系化合物半導体を用いたシヨットキバリアダイオードであって、 不純物を含むシリコン又はシリコン化合物から成り且つ低い抵抗率を有している基板と、 前記基板の一方の主面上に配置されバッファ層と、 前記バッファ層の上に配置された窒化物系化合物半導体領域と、 前記半導体領域の表面にシヨットキバリア接触された第1の電極と、 前記基板の他方の主面にオーミック接触された第2の電極とを備え、 前記バッファ層は、 化学式 AlxMyGa1-x-yN ここで、前記Mは、In(インジウム)とB(ボロン)とから選択された少なくとも1種の元素、 前記x及びyは、 0<x≦1、 0≦y<1、 x+y≦1、 を満足する数値、 で示される材料から成り且つ量子力学的トンネル効果を得ることができる1nm〜8nmの厚みを有している第1の層と、 化学式 AlaMbGa1-a-bN ここで、前記MはIn(インジウム)とB(ボロン)とから選択された少なくとも1種の元素、 前記a及びbは、 0≦a<1、 0≦b<1、 a+b≦1 を満足させる数値、 で示される材料とから成り且つ前記第1の層よりも厚い10nm〜300nmの厚みを有している第2の層と の複合層から成ることを特徴とするシヨットキバリアダイオード。
IPC (5件)：
H01L 29/47 ( 200 6.01) ,  H01L 29/872 ( 200 6.01) ,  H01L 21/205 ( 200 6.01) ,  H01L 21/822 ( 200 6.01) ,  H01L 27/04 ( 200 6.01)
FI (4件)：
H01L 29/48 D ,  H01L 29/48 F ,  H01L 21/205 ,  H01L 27/04 A
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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