特許
J-GLOBAL ID:201103041010966053

半導体装置およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 上柳 雅誉 ,  須澤 修
公報種別:特許公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-090011
公開番号(公開出願番号):特開2000-286296
特許番号:特許第3627565号
出願日: 1999年03月30日
公開日(公表日): 2000年10月13日
請求項(抜粋):
【請求項1】球状半導体材料の表面に半導体素子を形成した球状半導体と、前記球状半導体を搭載するための基板と、前記球状半導体を前記基板に固定するための固定材とを有する半導体装置であって、前記基板の表面には、前記球状半導体を搭載するための前記球状半導体の幅よりも狭い凹部が形成され、前記凹部内には、前記固定材が形成される領域で当該領域の周辺領域と比較して前記固定材との濡れ性が高い高濡れ性領域が形成され、前記球状半導体の表面に前記固定材が形成される領域は、当該領域の周辺領域と比較して前記固定材との濡れ性が高い高濡れ性領域でなり、かつ前記球状半導体を前記基板に搭載したときに前記凹部内に位置する領域であることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件):
H01L 21/60 ,  H01L 27/00
FI (2件):
H01L 21/60 311 S ,  H01L 27/00 301 Z
引用特許:
審査官引用 (4件)
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