特許
J-GLOBAL ID：201103041780685630
同期式半導体記憶装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 詔男 (外3名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-016273
公開番号（公開出願番号）：特開2000-215663
特許番号：特許第3266127号
出願日： 1999年01月25日
公開日（公表日）： 2000年08月04日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 メモリセルアレイ上のメモリセルを特定する行アドレス及び列アドレスを指定する命令が時分割されて順に供給される同期式半導体記憶装置において、前記行アドレスを指定する命令にしたがって行われる前記メモリセルアレイのセンス動作の完了に相当するときから第1の制御信号を生成する第1の信号生成手段と、前記列アドレスを指定すると共に読み出しまたは書き込みの動作を指定する命令が供給されたときから第2の制御信号を生成する第2の信号生成手段と、前記第1の制御信号及び前記第2の制御信号のうち何れか遅い信号によって第3の制御信号を生成する第3の信号生成手段とを有し、前記第3の制御信号によって前記列アドレスを前記メモリセルアレイに供給することを特徴とする同期式半導体記憶装置。
IPC (1件)：
FI (2件)：
G11C 11/34 362 S
, G11C 11/34 354 C
