特許
J-GLOBAL ID：201103041837591491

シリコン単結晶の引上げ装置

発明者：
符 森林

符 森林 について

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坂本 吉亮

坂本 吉亮 について

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渡辺 貴

渡辺 貴 について

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小野 直樹

小野 直樹 について

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島貫 康

島貫 康 について


出願人/特許権者：
株式会社SUMCO

株式会社SUMCO について


代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-071451
公開番号（公開出願番号）：特開2001-261494
特許番号：特許第3873568号
出願日： 2000年03月15日
公開日（公表日）： 2001年09月26日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 チャンバ(11)内に設けられシリコン融液(12)が貯留された石英るつぼ(13)と、前記石英るつぼ(13)の外周面を包囲し前記シリコン融液(12)を加熱するヒータ(18)と、前記シリコン融液(12)から引上げられるシリコン単結晶(25)の外周面を包囲しかつ下端が前記シリコン融液(12)表面から間隔をあけて上方に位置し前記ヒータ(18)からの輻射熱を遮る円筒状の熱遮蔽部材(30)とを備えたシリコン単結晶の引上げ装置において、 前記熱遮蔽部材(30)の基材(31)の下部が下方に向うに従って半径が小さくなる第1アウタコーン(31a)に形成され、 前記基材(31)の上部が上方に向うに従って半径が大きくなる第2アウタコーン(31b)に形成され、 前記第1アウタコーン(31a)及び前記基材(31)の中間部(31c)が下方に向うに従って半径が小さくなる第1インナコーン(32)により覆われ、 前記第1インナコーン(32)と前記第1アウタコーン(31a)及び前記基材(31)の中間部(31c)との間に第1保温材(33)が充填され、 前記第2アウタコーン(31b)が上方に向うに従って半径が大きくなる第2インナコーン(34)と前記第2インナコーン(34)の下端に連設されかつ前記第2アウタコーン(31b)の下端近傍に接続する底壁(36)とにより覆われ、 前記第2インナコーン(34)及び前記底壁(36)と前記第2アウタコーン(31b)との間に第2保温材(37)が充填された ことを特徴とするシリコン単結晶の引上げ装置。
IPC (2件)：
C30B 29/06 ( 200 6.01) ,  H01L 21/208 ( 200 6.01)
FI (2件)：
C30B 29/06 502 C ,  H01L 21/208 Z
引用特許：
審査官引用 (8件)
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