パターン形成方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：高松猛 , 矢澤清純
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-197910
公開番号（公開出願番号）：特開2011-028281
出願日： 2010年09月03日
公開日（公表日）： 2011年02月10日
要約：

【課題】半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、その他のフォトファブリケーション工程等に使用される、高精度な微細パターンを安定的に形成する為のパターン形成方法の提供。【解決手段】酸の作用により極性が増大する樹脂を含有し、活性光線又は放射線の照射により、アルカリ現像液であるポジ型現像液に対する溶解度が増大し、有機溶剤を含有するネガ型現像液に対する溶解度が減少するレジスト組成物を塗布することで、膜を形成し、前記膜を液浸媒体を介して露光し、ネガ型現像液を用いて現像を行うことを含み、前記組成物が、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有し、かつ、アルカリ可溶性基、アルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基、酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解度が増大する基、及び特定の繰り返し単位、のいずれかを有する樹脂を含有するパターン形成方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

酸の作用により極性が増大する樹脂を含有し、活性光線又は放射線の照射により、アルカリ現像液であるポジ型現像液に対する溶解度が増大し、有機溶剤を含有するネガ型現像液に対する溶解度が減少する、ネガ型現像用レジスト組成物を塗布することで、レジスト膜を形成し、前記レジスト膜を液浸媒体を介して露光し、前記ネガ型現像液を用いて現像を行うこと、を含むパターン形成方法であって、前記ネガ型現像用レジスト組成物が下記成分を含有するパターン形成方法。 (A)酸の作用により極性が増大し、活性光線又は放射線の照射により、前記ポジ型現像液に対する溶解度が増大し、前記ネガ型現像液に対する溶解度が減少する樹脂、(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物、(C)溶剤、及び(D)フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有し、かつ、(x)アルカリ可溶性基、(y)アルカリ現像液の作用により分解し、アルカリ現像液中での溶解度が増大する基、(z)酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解度が増大する基、及び一般式(pA-c)で表される繰り返し単位、のいずれかを有する樹脂。

IPC (4件)：

G03F 7/038 , G03F 7/039 , G03F 7/32 , H01L 21/027

FI (6件)：

G03F7/038 601 , G03F7/039 601 , G03F7/32 , G03F7/32 501 , H01L21/30 502R , H01L21/30 569E

Fターム (83件)：

2H096AA25 , 2H096BA06 , 2H096BA11 , 2H096DA10 , 2H096EA05 , 2H096GA04 , 2H096GA09 , 2H096GA18 , 2H096JA08 , 2H125AF17P , 2H125AF18P , 2H125AF19P , 2H125AF20P , 2H125AF21P , 2H125AF22P , 2H125AF27P , 2H125AF36P , 2H125AF38P , 2H125AF39P , 2H125AF45P , 2H125AF70P , 2H125AH03 , 2H125AH12 , 2H125AH14 , 2H125AH15 , 2H125AH17 , 2H125AH19 , 2H125AH22 , 2H125AH24 , 2H125AH29 , 2H125AJ14X , 2H125AJ14Y , 2H125AJ16Y , 2H125AJ56X , 2H125AJ63X , 2H125AJ64X , 2H125AJ65X , 2H125AJ66X , 2H125AJ68X , 2H125AJ69X , 2H125AJ85Y , 2H125AJ92Y , 2H125AJ95Y , 2H125AM13P , 2H125AM22P , 2H125AM23P , 2H125AM27P , 2H125AM30P , 2H125AM45P , 2H125AM66P , 2H125AM86P , 2H125AM94P , 2H125AM99P , 2H125AN38P , 2H125AN39P , 2H125AN65P , 2H125AN82P , 2H125AN85P , 2H125BA01P , 2H125BA26P , 2H125BA32P , 2H125BA33P , 2H125CA12 , 2H125CB09 , 2H125CC01 , 2H125CC03 , 2H125CC15 , 2H125FA03 , 2H125FA05 , 2H125FA23 , 4J100AL08P , 4J100BA03P , 4J100BA40P , 4J100BC07P , 4J100BC08P , 4J100BC09P , 4J100BC53P , 4J100BC58P , 4J100CA04 , 4J100CA05 , 4J100CA06 , 4J100JA38 , 5F046LA12

引用特許：

出願人引用 (6件)

パターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-128797 出願人：富士フイルム株式会社
ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-247408 出願人：富士フイルム株式会社
特開昭59-045439

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