半導体装置、そのリフレッシュ方法、メモリシステムおよび電子機器

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：井上一 , 布施行夫 , 大渕美千栄
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-268275
公開番号（公開出願番号）：特開2002-074947
特許番号：特許第3624811号
出願日： 2000年09月05日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
請求項（抜粋）：

【請求項1】複数のブロックに分割されたメモリセルアレイを有する半導体装置のリフレッシュ方法であって、アドレス信号の変化を検出した信号である検出信号を発生する、検出信号発生ステップと、前記検出信号にもとづいて、前記メモリセルアレイをリフレッシュする、リフレッシュステップと、を有し、前記半導体装置のメモリセルのデータの読み出しまたは書き込みが可能な状態であるオペレーション状態中の場合には、前記検出信号発生ステップにおける前記アドレス信号は、前記半導体装置のアドレス信号であって、前記半導体装置のメモリセルのデータの読み出しまたは書き込みが不可能であり、かつ前記半導体装置および他の半導体装置を含むシステムは動作中である待機状態中の場合には、前記検出信号発生ステップにおける前記アドレス信号は、前記他の半導体装置のアドレス信号である、半導体装置のリフレッシュ方法。

IPC (3件)：

G11C 11/403 , G11C 11/406 , G11C 11/408

FI (3件)：

G11C 11/34 371 J , G11C 11/34 354 B , G11C 11/34 363 K

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開昭62-012990
半導体記憶装置及びそのテスト方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-363664 出願人：日本電気株式会社
メモリ制御装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-309162 出願人：川崎製鉄株式会社

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