電界効果トランジスタの製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：机昌彦 (外2名)
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-160423
公開番号（公開出願番号）：特開2000-349295
特許番号：特許第3458766号
出願日： 1999年06月08日
公開日（公表日）： 2000年12月15日
請求項（抜粋）：

【請求項1】絶縁体上に半導体層が設けられた基板を用意し、前記半導体層に前記半導体層よりも高濃度の不純物を含む不純物ドープト半導体層を成長させ、前記不純物ドープト半導体層の表面にゲート絶縁膜を成長させ、前記ゲート絶縁膜の上にゲート電極を形成し、前記ゲート電極をマスクとして前記不純物ドープト半導体層及び前記半導体層に前記不純物と逆導電型の不純物を導入して前記不純物と逆導電型のソース領域及びドレイン領域を形成し、かつ、前記不純物ドープト半導体層の膜厚が5nm以下とすることを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法。

IPC (1件)：