特許

J-GLOBAL ID：201103043074769807

酸化インジウム系スパッタリングターゲットおよびその製造方法

発明者： ▲桑▼原 正和
出願人/特許権者： 住友金属鉱山株式会社
代理人 (1件)： 鴨田 哲彰
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-149341
公開番号（公開出願番号）：特開2011-006725
出願日： 2009年06月24日
公開日（公表日）： 2011年01月13日
要約：

【課題】低抵抗かつ高屈折率の透明導電酸化物膜を直流スパッタリング法により工業的に生産可能な酸化インジウムスパッタリングターゲットを提供する。【解決手段】酸化インジウムを主原料とし、酸化タンタルおよび酸化チタンを合計量で5.2〜9.2質量%含有し、酸化チタン/酸化タンタルの質量比が0.022〜0.160である酸化物からなる成形体を、酸素含有雰囲気下、1530〜1630°Cで焼結することにより、相対密度が97%以上で、比抵抗が5×10-4Ω・cm以下であり、成膜により比抵抗が5×10-4Ω・cm以下、可視光領域における光の屈折率が2.0以上、透過率が96%以上の透明導電酸化物膜を得られる、スパッタリングターゲットを得る。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

酸化タンタルおよび酸化チタンを合計量で5.2〜9.2質量%含有し、酸化チタン/酸化タンタルの質量比が0.022〜0.160で、残部が酸化インジウムであり、相対密度が97%以上で、比抵抗が5×10-4Ω・cm以下であることを特徴とする、酸化インジウム系スパッタリングターゲット。

IPC (3件)：

C23C 14/34 ,  C04B 35/00 ,  H01B 5/14

FI (3件)：

C23C14/34 A ,  C04B35/00 J ,  H01B5/14 A

Fターム (28件)：

4G030AA16 ,  4G030AA21 ,  4G030AA34 ,  4G030BA02 ,  4G030BA15 ,  4G030CA04 ,  4G030CA08 ,  4G030GA03 ,  4G030GA04 ,  4G030GA09 ,  4G030GA11 ,  4G030GA19 ,  4G030GA25 ,  4G030GA27 ,  4G030GA32 ,  4K029AA09 ,  4K029BA45 ,  4K029BC07 ,  4K029BC09 ,  4K029CA05 ,  4K029DC05 ,  4K029DC09 ,  4K029DC34 ,  4K029DC39 ,  5G307FA01 ,  5G307FB01 ,  5G307FC09 ,  5G307FC10

引用特許：

審査官引用 (4件)

• ターゲットおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-015028   出願人：出光興産株式会社
• 透明導電積層体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-313386   出願人：出光興産株式会社
• 光学薄膜およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-015899   出願人：オリンパス光学工業株式会社
• 特開平2-096701